收藏本站
型号 IPB100N06S3L-04
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
IPB100N06S3L-04 PDF
代理商 IPB100N06S3L-04
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 362nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 17270pF @ 25V
功率 - 最大 214W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
其它名称 IPB100N06S3L-04INDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB100N06S3L-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
IPB100N06S3L-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
IPB100N08S2-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB100N08S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPB100N10S3-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB100N10S3-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB100N10S3-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB107N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20NA Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20NA Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB107N20NA Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
IPB10N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB10N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB110N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
IPB110N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 78A TO-263